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说到光刻机,那就是国人的痛处,毕竟被卡脖子的感觉真的太难受了,其实我们在半导体领域被卡脖子的不只是光刻机,半导体产业链里面,我们能够自主掌握技术的不到一半,还有一半要靠外国的先进设备和技术做支撑,认为只要突破光刻机技术就能不受到卡脖子,那其实就有点想的太简单了。
光刻机的确是非常重要的环节,曾经在六十年代的时候,我们的光刻机水平其实并不比欧美的差,在六十年代的时候,我们的机械领域其实也并没有说落后太明显,只是在特殊的十年当中,导致了我们落后,这还只是开始,在八十年代的时候,由于西方先进产品进入国内市场的影响,又导致了我们在八九十年代错过了机会。
这样总共失去三十年的时间,就是因为这样才导致了中间的空白期没办法弥补,就算我们后面这二十年的时间在发力,但是也很难真正的短时间内赶上,毕竟别人也并没有在原地踏步,我们在进步别人也一样在前进,中间还存在着代差,加上原本工业基础的薄弱,才有了现在的这种情况。
目前市场上我们能够自行生产的光刻机精度只有90纳米级别,中芯国际升级的14纳米技术其实并不是我们自己生产的设备,这个就很尴尬了,虽然说上海微电跟科学院联合研发出来了28纳米的光刻机技术,但是这个目前来说也只是在实验室里面的数据,离组装到现实中使用,还不知道要到什么时候。
上海微电子可以制造光刻机不是啥新鲜事,人家从2002年就开始立项研发光刻机了,只是我们技术实在落后,人才又缺乏,因此进展一直比较缓慢。不过,进入2010年后国产研发团队不断攻克光刻机核心子系统的技术南广,未来我国光刻机将会迎来较快的发展,基本上可以从低端跃至中端,然后将向最后的高端领域发起冲击。
1、上海微电子现有情况:目前国内研发光刻机的厂商不少,但属于领先地位的就只有上海微电子,能量产的90nm光刻机,其他厂商只能生产200nm、300nm这样的光刻机,但在全球光刻机领域上海微电子属于低端。
目前,有消息称上海微电子正在研发28nm节点光刻机,但实际情况未知。如果说这台28nm节点的光刻机能研发成功,那么我国芯片生产或将基本解决自主问题。
因为,28nm节点的光刻机不仅仅只能用来生产28nm制程芯片,通过套刻多重曝光可以实现10nm芯片,如果代工厂技术过关,甚至可以实现7nm制程芯片。
这意味着在芯片制造设备领域,我们可以实现较为先进的芯片技术,至于具体能不能生产就看中芯这类代工厂的生产技术了。
2、我国在光刻机领域的水平:全球能做光刻机的厂商其实没几家,除了荷兰ASML,剩下就是日系厂商尼康和佳能,以及我们的上海微电子。
但是从这2年的发展来看,未来这个领域应该只有我们和ASML竞争了。日系厂商基本属于出局状态,这块它们不愿意再进行大量的投资,一句话烧不起这钱。
目前我国对于光刻机基本属于举国体制运作,2009年中科院牵头执行了02专项计划,专门来解决光刻机的问题。光刻机由于整个系统复杂,牵涉技术领域较多,因为各核心子系统均分配给了不同的技术团队和厂商来研发。
截至2020年,我们已经解决了双工件台(下图)、浸液系统、准分子激光光源等核心子系统,基本扫清了光刻机的主要技术难关,这些子系统如果放眼全球,基本上都是全球第二或第三掌握这些技术的厂商。
后续就看上海微电子如今将这些子系统进行整合了,他们只是系统制造商。
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